芯片封装高分辨观察用飞纳台式场发射扫描电镜 Phenom Pharos G2

产品简介

Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜，可应用于芯片封装结构的高分辨观察，为封装材料研发、器件检测及微观缺陷分析提供扫描电镜成像支持。

芯片封装涉及芯片、焊点、封装材料及不同材料之间的界面结构。针对封装截面、连接区域或局部异常位置进行微观观察时，细小结构和缺陷往往需要更高的成像分辨率。Phenom Pharos G2 采用肖特基热场发射电子枪，可用于封装表面、界面、焊点及微小缺陷区域的精细形貌观察。

设备电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，适合微纳尺度结构、高分辨表面形貌及精细结构分析等应用。加速电压支持 1 kV - 20 kV 连续可调，用户可根据样品特性和观察目标选择相应的成像条件。

Phenom Pharos G2 支持低、中、高三种真空模式，配备背散射电子探测器和二次电子探测器，并可根据实际分析需求选配能谱探测器，用于进一步获取局部区域的元素信息。台式化设计也使设备能够应用于研发实验室、企业检测部门及材料分析机构。

产品特点

1. 场发射电子源，满足封装结构精细观察需求

采用肖特基热场发射电子枪，可用于芯片封装结构、材料界面及微小缺陷区域的高分辨扫描电镜成像。

2. 高分辨率，观察微纳尺度结构细节

电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，适合焊点、界面及其他精细微观结构的形貌分析。

3. 加速电压连续可调

加速电压范围为 1 kV - 20 kV 连续可调，可根据封装材料、样品状态及观察需求调整测试条件。

4. 三种真空模式，提高样品分析灵活性

设备支持低真空、中真空和高真空模式，可适应不同类型电子材料及封装样品的观察需求。

5. 多种探测方式，获取不同维度的样品信息

标配背散射电子探测器和二次电子探测器，可从不同角度获取样品形貌和成分差异信息；根据应用需求还可选配能谱探测器开展元素分析。

6. 台式场发射设计，适合实验室高分辨分析

设备采用台式化设计，适用于半导体研发、电子封装材料研究、器件检测及相关实验室分析场景。

应用领域

Phenom Pharos G2 可应用于以下场景：

• 芯片封装结构高分辨观察

• 封装材料及截面微观形貌分析

• 焊点及连接区域观察

• 芯片与封装材料界面分析

• 半导体器件局部缺陷检测

• 电子元器件失效分析

• 封装工艺研发与质量控制

• 微纳结构材料研究

技术参数

常见问题

1. Phenom Pharos G2 可以用于芯片封装哪些部位的观察？

设备可用于封装表面、封装截面、材料界面、焊点及局部异常区域的微观形貌观察。具体分析效果与样品制备方式、材料特性及观察目标有关。

2. 芯片封装样品是否可以进行元素分析？

可以根据需求选配能谱探测器，对封装材料、颗粒、异常区域或局部位置进行元素分析，为材料成分判断和失效分析提供参考。

3. 这款设备除了芯片封装外还适合哪些应用？

Phenom Pharos G2 还可用于半导体材料、纳米材料、碳材料、催化剂、陶瓷、锂电材料及光伏材料等需要高分辨微观形貌观察的应用。

4. 产品价格如何确定？

产品价格会根据具体配置、探测器选项及实际应用需求确定。用户可通过平台询价或留言提交样品类型和分析需求，获取相应的产品配置建议。

产品服务

如需了解 Phenom Pharos G2 在芯片封装高分辨观察中的应用方案、设备配置或相关测试资料，可通过平台询价或留言提交样品类型及分析需求，获取进一步产品信息。