3 月 26 日 - 28 日，SEMICON China 2025 将在上海新国际博览中心盛大召开。

覆盖设备、材料、设计、制造、封装测试、软件和服务等微电子、集成电路产业链各环节等产业链，全球规模最大、最具影响力的半导体专业展。来自五湖四海的专家学者、产业链相关企业将齐聚一堂，共赴这场半导体嘉年华！

本次展览会，飞纳电镜展位号 N2-2643，欢迎大家到现场交流和互动！飞纳电镜还准备了免费抽奖互动活动，100% 中奖！欢迎莅临展台交流！

SEMICON CHINA 2025

会议时间：2025年3月26日-28日

会议地点：上海新国际博览中心

展位号：N2-2643

SEMICON 2025 官方观众注册通道 

复纳科技云展台抢先看

复纳科技在电子半导体领域，从微纳表征和样品制备、FIB 样品精修、到微纳制造，具有丰富的产品线，飞纳电镜 AFM-SEM 原子力扫描电镜一体机、飞纳清洁度检测系统 ParticleX，飞纳场发射扫描电镜、表面抛光 / 截面切削制样设备-氩离子研磨仪、台式纳米 CT 等，可以满足多样化的材料检测需求以及复杂的制程工艺管控，实现缺陷和形貌观察以及物性失效分析。

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Part.1飞纳台式扫描电镜

01 AFM-SEM 原子力扫描电镜一体机

Phenom AFM-SEM 原子力扫描电镜一体机能够提供多种测量模式，包括机械性能、相关性分析、磁性能、电机械性能和电性能等，覆盖了从亚纳米级地形测量到局部弹性、硬度、磁畴成像、压电畴成像、导电性映射、局部表面电势映射以及局部电性能等多个领域。

▌半导体材料-二硫化钼（MoS）

02失效分析必备--飞纳场发射扫描电镜

失效分析是对于电子元器件的实效原因进行诊断，这个过程中需要对失效位置的微观形貌进行检测，并进行成分分析。电子元器件的失效原因多样，比如内部存在杂质、介在物、孔洞、腐蚀、开裂等，这些都无法在后续的加工中去除，反而容易引起造成更严重的破坏。因此，需要借助扫描电镜，进行快速判断失效原因，具有非常重要的意义。

飞纳台式扫描电镜分辨率优于 1.0nm，15s 抽真空，30s 超快成像，可以快速过滤样品，确认分析位置和样品前处理的状况。具有专利防震技术，可以放置在 FA 实验室、高楼层办公或者产线旁。为您提供高效、简单、精确的半导体解决方案，帮助您提升工艺良率。

Part.2 扫描电镜制样-离子研磨仪

对于电子元器件进行失效分析时，对内部的孔洞、杂质等进行微观结构观察和分析时，需要借助离子研磨仪切割的方法，选择合适的能量离子枪，利于离子束进行剖面的切削或表面抛光处理，可以有效地解决以上问题。

MLCC 电容失效案例：

研磨前：无法确定 MLCC 烧结实际状况，无法判断失效原因离子研磨处理后：可以清晰看到 MLCC 介质层存在孔洞等

结合能谱结果发现 MLCC 介质层还存在金属氧化物

Part.3 FIB/TEM 制样-离子精修仪

半导体行业需要使用透射电镜（TEM）从原子尺度研究结构、元素、价态、形貌对器件最终性能的影响。借助聚焦离子术（FIB），工作人员可以制备器件某区域的薄片样品，用于 TEM 观察分析。但是，FIB 制样过程中镓离子的注入以及所产生的非晶层，却像一层难以驱散的迷雾，阻碍着人们获得更高质量的微观成像和谱学分析结果。

Gentle Mill 离子精修仪配备专利设计的低能氩离子枪（100 - 2000 eV，连续可调），可在比 FIB 更低的电压下精修样品，从而大幅减少损伤层厚度，直至 1nm 以下。该方法可对 FIB 样品 / TEM 样品进行表面减薄、表面后处理、去除非晶层和氧化层，实现对样品的表面清洁和最终精修，展现样品原始形貌结构，是改善 FIB 样品的一种有效手段。此外，该设备还可以部分去除 TEM 观察时在样品表面产生的碳沉积，从而可以实现多次利用宝贵的 FIB 样品的可能。

左图为原始 FIB  (30kV) 处理薄片；右图为经过 Gentle Mill (300 eV) 处理的薄片。Si-SiGe 多层异质结构样品两侧均使用 Gentle Mill 处理 2 分钟，以去除 FIB 薄片制备产生的非晶层。在 FIB 薄片的边缘处可以看到非晶层厚度明显减少。

Part.4 NEOSCAN 台式显微 CT

显微 CT 以其高分辨、非破坏和三维成像的能力，被广泛应用于电子元器件领域。在不影响设备完整性的前提下，可以准确识别和分析各种电子元器件，包括微型晶体管、电容器、电阻器等，可以发现内部可能存在的缺陷、焊接问题等，从而确保设备的品质和可靠性。

NEOSCAN N90 以 500nm 体素尺寸扫描高级 GPU，轻松分辨每一个TSV（通硅孔）

Part.5 VSParticle 纳米研究平台

在半导体加工中，颗粒污染是不可避免的。部分颗粒发生器无法稳定的产生纳米级（尤其是 23nm 以下）的颗粒，同时对于颗粒的组分限制较多，部分方法含有液体，不利于颗粒污染的去除。

VSParticle-P1 纳米印刷沉积系统能够实现无机纳米结构材料的打印直写。印刷涂层的颗粒由火花烧蚀技术产生，气溶胶颗粒典型粒径在 20nm 以下，且不含表面活性剂或任何其他有机添加物质。借助 VSP-P1 纳米印刷沉积系统冲压沉积模式，可以在晶圆选定区域沉积图案或颗粒。同时搭载的纳米粒子发生器可通过二次粒径筛选，并沉积到选定区域，选定粒径的颗粒可以进行纳米颗粒污染导致的失效模拟，或研究指定区域的颗粒清除效果。

颗粒输出精度：±0.5nm，1-10nm 颗粒可选

Part.6 DEMSsolutions 原位样品杆

在半导体器件生产过程中，晶体生长过程、相变结构演变、器件性能测试、环境条件影响这几个方面都会影响到器件最终出厂后的实际性能表现。如何从微观层面研究上述因素对器件结构、性能的影响，就显得至关重要。

DENSsolutions 透射电镜原位方案，采用侧插式样品杆设计、无需对电镜做额外改装、兼容市面上主流品牌透射电镜，从高温、低温、电场、气氛等方面提供一系列的原位透射方案，具体性能包括：分辨率 60 pm、最高温度 1300 ℃、最低温度 -160 ℃、最大电场 300 kV/cm、最大气压 2Bar、兼容多种气体。借助 DENSsolutions 方案，工作人员可以在高分辨观察的同时，对材料、器件施加多种外场刺激，以研究晶体生长、结构演变、环境条件的对器件结构、性能的影响。